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仔细的朋友可能会发现，上一篇写的核算方法针对的是单次的浪涌，比方Surge test一般两次浪涌之间会有30~60 s的间隔时间，这意味着
可是，实际中还有一些状况是会有重复浪涌的。比方下图，MOSFET作为低边开关来操控理性负载L，MOSFET会由PWM操控进行周期性的开关，每次关断（turn off）时，L都会由于反向的感应电动式E而发生一个尖峰电压Vspike。
此刻MOSFET的 Vds需求接受12 V+Vspike的电压，假如Vspike很高的话是有必定的概率会损坏MOSFET的，这时候TVS就有它的用武之地了。
OK,那么在这种重复浪涌的使用中，假如选用TVS做维护，选型和核算时需求如何来考虑呢？一块儿来看看吧！
这儿咱们咱们能够先假定TVS吸收了一切L存储的能量（这是worst case状况，实际上L，R, diode，TVS都会吸收L所存储的能量，做这个假定是为了便利核算）。
TVS的SPEC中会有Tj(max)这个参数，绝大多数状况下，只需核算得到的Tj Tj(max)，咱们就能够以为TVS是安全的，不会损坏。
这儿需求着重的一点是，在重复浪涌的使用中，首先应考虑尽量减小Ipeak，也便是流经TVS的电流Ipp。由于假如仍是像单次浪涌那样，以Ppp = Ipp × Vc作为评价的规范，那么重复浪涌会形成短时间之内的能量累积，TVS无法有效地耗散这些能量，因而导致Tj温度急剧上升而损坏。
核算到这儿基本上也就差不多了，若还有爱好能够做一下温度校对，公式如下：
最终，我想说，其实在重复浪涌的使用中，还有许多值得讨论的当地。比方RCD的snubber电路、压敏电阻MOV等都是可优先考虑的维护计划，这篇文章仅仅起一个抛砖引玉的效果，欢迎沟通！
